[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910349746.6 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111261604B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 丘世仰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一半导体基底、一抑制层、多个接触插塞以及多个穿硅通孔。该抑制层设置在该半导体基底的上方；该接触插塞插入该抑制层内；该穿硅通孔从该半导体基底的一背表面延伸到一前表面，该前表面与该背表面相对，其中该穿硅通孔分别与该接触插塞接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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