[发明专利]一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法和应用

摘要

本发明公开了一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法和应用，包括以下步骤：S1：在衬底上沉积一层介质材料；S2：于介质材料上沉积一层金属层；S3：涂覆光刻胶，曝光，显影后定义出截止层图形，形成非截止区域；S4：采用湿法蚀刻工艺刻蚀非截止区域的金属层，并去除光刻胶形成截止层；S5：将压电材料与非截止区域的介质材料键合，压电材料的硬度小于截止层的硬度；S6：先将压电材料进行研磨减薄，再采用化学机械研磨，通过截止层控制压电材料的厚度；S7：对衬底的背面进行研磨和抛光；S8：对截止层区域進行激光切割或边磨削，去除截止层。本发明不但工艺简单，而且可避免因离子植入造成的压电材料极化与损伤层修复问题。

主权项

1.一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：在衬底上沉积一层介质材料；步骤S2：于介质材料上沉积一层金属层；步骤S3：涂覆光刻胶，曝光，显影后定义出截止层图形，形成非截止区域；步骤S4：采用湿法蚀刻工艺刻蚀非截止区域的金属层，并去除光刻胶形成截止层；步骤S5：将压电材料与非截止区域的介质材料键合，压电材料的硬度小于截止层的硬度；步骤S6：先将压电材料进行研磨减薄，再采用化学机械研磨，通过截止层控制压电材料的厚度；步骤S7：对衬底的背面进行研磨和抛光；步骤S8：对截止层区域進行激光切割或边磨削，去除截止层，即得到薄膜单晶压电材料复合基板。