[发明专利]一种SiC基GaN外延片的剥离方法在审
| 申请号： | 201910351522.9 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110079859A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡仙清;蔡文必;刘胜厚;邹鹏辉;许若华;卢益锋;杨健 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC基GaN外延片的剥离方法，具体包括以下步骤：步骤S1：通过注入氧离子，在SiC衬底表层下形成氧层及SiO2，同时，反应形成气泡层；步骤S2：在SiC衬底表层上生成GaN外延；步骤S3：沿着气泡层进行激光切割，得到SiC基GaN外延片。本发明可以快速有效的剥离SiC衬底，从而回收SiC衬底，提高SiC衬底的使用率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 剥离 气泡层 注入氧离子 激光切割 使用率 氧层 回收 | ||
【主权项】：
1.一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤S1：通过注入氧离子，在SiC衬底表层下形成氧层及SiO2，同时，反应形成气泡层；步骤S2：在SiC衬底表层上生成GaN外延；步骤S3：沿着气泡层进行激光切割，得到SiC基GaN外延片。
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