[发明专利]一种高分辨率AMOLED显示结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910353732.1 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN110112143A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/84
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人: 林志峥
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及微电子技术领域,特别涉及一种高分辨率AMOLED显示结构及其制备方法,包括TFT区域结构,所述TFT区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第四绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层,通过将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层,能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸,从而提升面板的分辨率。
搜索关键词: 绝缘层 半导体层 金属层 高分辨率 区域结构 显示结构 有机层 制备 微电子技术领域 电路设计需求 第二金属层 第一金属层 亚像素补偿 玻璃层 分辨率 结构层
【主权项】:
1.一种高分辨率AMOLED显示结构,包括TFT区域结构,其特征在于,所述TFT区域结构包括玻璃层,在所述TFT区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第四绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层,所述TFT区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔,所述第一过孔中填充有第二金属层,所述第二金属层分别与所述TFT区域结构的第一半导体层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面和所述TFT区域结构的第二绝缘层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触,所述TFT区域结构的第四绝缘层上设有第二过孔,所述TFT区域结构的第一有机层上设有第三过孔,所述第二过孔与所述第三过孔相对设置且连通,所述第二过孔和第三过孔中均填充有第四金属层,所述第四金属层与所述TFT区域结构的第三金属层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。
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