[发明专利]具有导通控制的化学沉积设备有效
申请号: | 201910353875.2 | 申请日: | 2014-07-03 |
公开(公告)号: | CN110158061B | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 拉梅什·钱德拉赛卡兰;卡尔·利泽;夏春光;杰里米·塔克 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种具有导通控制的化学沉积设备,其包括:具有面板和背板的喷头模块,所述喷头模块包括输送反应器化学成分到腔体以及清除反应器化学成分的排放出口;基座模块,其被配置为支撑衬底,并且垂直移动以关闭所述基座模块与所述面板的外部之间的腔体;以及至少一个导通控制组件,经由所述排放出口流体连通所述腔体。所述至少一个导通控制组件选自以下各项中的一个或多个:球阀组件、流体阀、磁耦合旋转板和/或基于线性的磁系统。 | ||
搜索关键词: | 具有 控制 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
1.一种控制化学沉积设备的腔体内的导通的方法,包括:在所述化学沉积设备的所述腔体内处理衬底,所述腔体形成在喷头模块与被配置为接收所述衬底的衬底基座模块之间,其中所述喷头模块包括输送反应器化学成分到所述腔体的多个入口和从所述腔体清除反应器化学成分和净化气体的排放出口;注射净化气体到所述腔体中;并且使用经由所述排放出口流体连通所述腔体的至少一个导通控制组件来控制所述腔体的导通状态的变化,所述至少一个导通控制组件选自以下各项中的一个或多个:(a)球阀组件,所述球阀组件包括:具有锥形下部的壳体;从所述壳体的所述锥形下部延伸到所述腔体的一个或多个排放出口的导管,所述导管具有入口和出口;以及被配置为配合在所述锥形下部内的球状体,并且其中所述球状体被配置为在配料步骤期间阻塞所述导管的所述出口并且防止所述反应器化学成分流过所述导管,且在清扫步骤期间当超过所述腔体内的第一压力和流速时通过上升以在所述球状体的下表面与所述导管的所述出口之间提供开口来允许所述反应器化学成分和净化气体从所述腔体流入一个或多个抽排真空管道;(b)流体阀,所述流体阀具有调节气体部分和室流出部分,所述调节气体部分被配置为引导来自调节气体源的调节气体流进入来自所述腔体的反应器化学成分流,并且其中所述调节气体流调节来自所述腔体的所述反应器化学成分流受到的流阻;(c)回转阀,所述回转阀包括:上旋转板;以及与所述上旋转板磁耦合的下旋转板,所述下旋转板具有多个导管,所述多个导管中的每一个被配置为从所述喷头模块内对应的抽排导管接收来自所述腔体的反应器化学成分,所述抽排导管流体连通一个或多个所述排放出口;和/或(d)磁耦合线性阀,所述磁耦合线性阀包括:磁性壳体;以及多个直杆,所述多个直杆被配置为在多个通道内磁致上升和下降,所述多个直杆中的每一个具有近端部和远端部,所述近端部被配置为磁耦合所述磁性壳体,从而在所述磁性壳体内升高和降低所述多个直杆,所述远端部充当用于从所述排放出口释放所述反应器化学成分和/或所述净化气体的阀门。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的