[发明专利]台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法有效
申请号: | 201910353879.0 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110112079B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 张晓东;冯亚南;李锁印;韩志国;赵琳;许晓青;梁法国 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 高欣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法,属于半导体器件测试技术领域,包括计算台阶样块的高度d;计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b;计算台阶样块的侧面倾斜角θ;设定参数ε评价刻蚀工艺水平,利用参数与台阶侧面倾斜角的关系式计算参数ε。本发明提供的台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法,能够准确测量台阶样块的高度及内外尺寸,进而确定台阶样块侧面倾斜角,对台阶样块的刻蚀工艺水平进行准确评价。 | ||
搜索关键词: | 台阶 刻蚀 工艺 参数 评价 方法 | ||
【主权项】:
1.台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法,其特征在于,包括:计算台阶样块的高度d;计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b;计算台阶样块的侧面倾斜角θ;设定参数ε评价刻蚀工艺水平,所述参数与台阶侧面倾斜角的关系如公式(1);ε=sinθ (1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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