[发明专利]一种多层拓扑绝缘体的Faraday极化偏转分析方法有效
| 申请号： | 201910354186.3 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110045306B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 曾然;陈芳芳;张猛;胡淼;李浩珍;毕美华;杨淑娜;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良;王日精 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于光学技术领域，具体涉及一种多层拓扑绝缘体的Faraday极化偏转分析方法，包括以下步骤：S1、建立多层拓扑绝缘体结构的模型；S2、确定边界条件；S3、计算多层拓扑绝缘体的传输矩阵；S4、计算光从普通介质入射至多层拓扑绝缘体的透射系数；S5、计算所述模型下的Faraday旋转角和透射光相位差。本发明根据传输矩阵法计算线偏振光从普通绝缘体入射到多层拓扑绝缘体的Faraday极化偏转角以及相位差的方法，能准确地分析多层拓扑绝缘体的Faraday效应的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 拓扑 绝缘体 faraday 极化 偏转 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层拓扑绝缘体的Faraday极化偏转分析方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立多层拓扑绝缘体结构的模型；S2、确定边界条件；S3、计算多层拓扑绝缘体的传输矩阵；S4、计算光从普通介质入射至多层拓扑绝缘体的透射系数；S5、计算所述模型下的Faraday旋转角和透射光相位差。
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