[发明专利]N型钝化接触电池的制作系统及方法

摘要

本发明技术方案公开了一种N型钝化接触电池的制作系统以及制作方法，通过PECVD组合边缘隔离技术，解决了LPCVD方法沉积n+多晶硅层绕镀以及PECVD沉积第二掩膜层造成的正面多晶硅薄膜边缘残留的问题，该技术方案可兼容于常规制作P型电池的产线，促进了N型钝化接触高效电池量产推进。

主权项

1.一种N型钝化接触电池的制作系统，其特征在于，所述制作系统包括：氧化设备，所述氧化设备用于对电池基片的背面进行氧化处理，在所述电池基片的背面形成遂穿氧化层；所述电池基片包括n型基底以及依次形成于所述n型基底正面的p+扩散层和第一掩膜层；LPCVD设备，所述LPCVD设备用于在所述隧穿氧化层表面形成n+多晶硅层，所述隧道氧化层和所述n+多晶硅层形成钝化接触；所述n+多晶硅层绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域；PECVD设备，所述PECVD设备用于形成覆盖所述n+多晶硅层的第二掩膜层；等离子刻蚀设备，所述等离子刻蚀设备用于通过边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层；第一刻蚀设备，所述第一刻蚀设备用于基于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，去除绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层；第二刻蚀设备，所述第二刻蚀设备用于去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；钝化设备，所述钝化设备用于在所述p+扩散层的表面形成正面钝化层，在所述n+多晶硅层的表面形成背面钝化层；金属化设备，所述金属化设备用于形成正面电极和背面电极。