[发明专利]一种单层硒化铜二维原子晶体材料及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201910355054.2 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110029398A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 卢建臣;林晓;高蕾;钱凯;张帅;杜世萱;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C23C14/24;C23C14/06;C23C14/58;C23C14/02;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单层硒化铜二维原子晶体材料，其表面具有由晶格失配形成的一维摩尔条纹结构，所述一维摩尔条纹的周期为1.8nm，在所述单层硒化铜二维原子晶体材料的二维平面内，铜原子和硒原子以交替形式形成周期性的六角蜂窝状结构，所述六角蜂窝状结构的晶格周期为在一个高对称方向为0.44nm，在另外两个高对称方向为0.41nm。本发明还涉及所述单层硒化铜二维原子晶体材料的制备方法和用途。本发明的单层硒化铜二维原子晶体材料为一种双组分二维蜂窝状晶体材料，其电子在硒化铜中呈现“节线型”狄拉克费米子能带结构。本发明的单层硒化铜二维原子晶体材料作为一种新的电学材料可用于构筑无耗散的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体材料 硒化铜 二维原子 单层 对称方向 六角蜂窝 摩尔条纹 制备 电学材料 电子器件 二维平面 交替形式 晶格失配 晶格周期 能带结构 蜂窝状 铜原子 硒原子 二维 耗散 可用 米子 构筑 | ||
【主权项】：
1.一种单层硒化铜二维原子晶体材料，其表面具有由晶格失配形成的一维摩尔条纹结构，所述一维摩尔条纹的周期为1.8nm，在所述单层硒化铜二维原子晶体材料的二维平面内，铜原子和硒原子以交替形式形成周期性的六角蜂窝状结构，所述六角蜂窝状结构的晶格周期为在一个高对称方向为0.44nm，在另外两个高对称方向为0.41nm。
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