[发明专利]利用氢自由基的设备和其使用方法在审
| 申请号： | 201910355382.2 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110473802A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 林兴;魏创;王文涛;高培培;王非;B·B·乔希斯沃兰 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 乐洪咏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本文公开了利用氢自由基的设备和其使用方法，具体公开了在单个处理室内从衬底去除碳类污染物和氧类污染物的反应器系统，包括：包括内表面的反应室；耦接到所述反应室的远程等离子体源；和耦接到所述远程等离子体源的氢源，其中所述内表面的至少一部分包括金属氧化物涂层。还公开了一种气体分布设备，包括：顶段；其中形成有多个穿孔的底段；和其间的歧管板，其中所述歧管板包括从所述歧管板的中心区域径向延伸的多个气体通道。 | ||
| 搜索关键词： | 歧管板 远程等离子体源 反应室 内表面 污染物 金属氧化物涂层 气体分布设备 中心区域径向 反应器系统 衬底去除 单个处理 气体通道 氢自由基 穿孔的 底段 顶段 氢源 室内 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种反应器系统，包括：/n包括内表面的反应室；/n耦接到所述反应室的远程等离子体源；和/n耦接到所述远程等离子体源的氢源，/n其中所述内表面的至少一部分包括金属氧化物涂层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
