[发明专利]绝缘栅极型半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910355852.5 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110556413A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 成田舜基 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，能够缩小元胞尺寸从而能够降低通态电阻。设置有第一导电型的漂移层、配置于漂移层的表面的第二导电型的基区，在基区的表面选择性地设置有第一导电型的源极区和第二导电型的第一接触区。沟槽贯通源极区、第一接触区以及基区并设置为格子状，由沟槽划分出排列为格子状的多边形状的活性元胞柱。在沟槽的内侧设置有绝缘栅极型电极构造。各个活性元胞柱具备源极区、第一接触区以及基区，在活性元胞柱的上部表面，第一接触区与活性元胞柱的外周相接。 | ||
| 搜索关键词： | 元胞 导电型 接触区 基区 源极区 绝缘栅极 格子状 漂移层 半导体装置 电极构造 多边形状 上部表面 通态电阻 外周 贯通 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，具备：/n第一导电型的漂移层；/n配置于所述漂移层的表面的第二导电型的基区；/n第一导电型的源极区，其选择性地设置于所述基区的表面，所述源极区的杂质浓度比所述漂移层的杂质浓度高；/n第二导电型的第一接触区，其选择性地设置于所述基区的表面，所述第一接触区的杂质浓度比所述基区的杂质浓度高；/n排列为格子状的多边形状的元胞柱，其是由贯通所述源极区、所述第一接触区以及所述基区的沟槽划分出的；以及/n设置于所述沟槽的内侧的绝缘栅极型电极构造，/n其中，所述元胞柱具备所述源极区、所述第一接触区以及所述基区，/n在所述元胞柱的上部表面，所述第一接触区与所述元胞柱的外周相接。/n
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