[发明专利]放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置在审

专利信息
申请号: 201910356731.2 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN110335876A 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 周一安;林柏全;席克瑞;秦锋;刘金娥;李小和 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 代理人: 于淼
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置,包括:衬底基板;设置于衬底基板上的多个光电二极管;光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层;本征半导体层位于N型半导体层背离衬底基板的一侧,P型半导体层位于本征半导体层背离衬底基板的一侧;P型半导体层部分覆盖本征半导体层,以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层;本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1,P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2,40%*S1≤S2
搜索关键词: 本征半导体层 衬底基板 光电二极管 放射线图像检测装置 放射线图像检测 正投影 背离 第一区域 灵敏度 制作 暴露 覆盖
【主权项】:
1.一种放射线图像检测面板,其特征在于,包括:衬底基板;设置于所述衬底基板上的多个光电二极管;所述光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层;所述本征半导体层位于所述N型半导体层背离所述衬底基板的一侧,所述P型半导体层位于所述本征半导体层背离所述衬底基板的一侧;所述P型半导体层部分覆盖所述本征半导体层,以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层;所述本征半导体层向所述衬底基板的正投影面积为S1,所述P型半导体层向所述衬底基板的正投影面积为S2,40%*S1≤S2<S1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910356731.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top