[发明专利]放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置在审
申请号: | 201910356731.2 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110335876A | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 周一安;林柏全;席克瑞;秦锋;刘金娥;李小和 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明公开了一种放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置,包括:衬底基板;设置于衬底基板上的多个光电二极管;光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层;本征半导体层位于N型半导体层背离衬底基板的一侧,P型半导体层位于本征半导体层背离衬底基板的一侧;P型半导体层部分覆盖本征半导体层,以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层;本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1,P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2,40%*S1≤S2 | ||
搜索关键词: | 本征半导体层 衬底基板 光电二极管 放射线图像检测装置 放射线图像检测 正投影 背离 第一区域 灵敏度 制作 暴露 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种放射线图像检测面板,其特征在于,包括:衬底基板;设置于所述衬底基板上的多个光电二极管;所述光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层;所述本征半导体层位于所述N型半导体层背离所述衬底基板的一侧,所述P型半导体层位于所述本征半导体层背离所述衬底基板的一侧;所述P型半导体层部分覆盖所述本征半导体层,以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层;所述本征半导体层向所述衬底基板的正投影面积为S1,所述P型半导体层向所述衬底基板的正投影面积为S2,40%*S1≤S2<S1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的