[发明专利]一种控制NOR flash存储器性能的方法和装置在审
| 申请号： | 201910356939.4 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111863084A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘言言;许梦;付永庆 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种控制NOR flash存储器性能的方法和装置。所述方法包括：判断所述源漏互换开关的状态，接收编程操作指令，若源漏互换开关的状态为打开，调整编程验证电压为第一目标电压，根据调整后的第一目标电压，执行编程操作指令。本发明提供的控制NOR flash存储器性能的方法以及装置，调整编程验证电压为第一目标电压，调整擦除验证电压为第二目标电压，调整读验证电压为第三目标电压，再根据调整后的目标电压，执行编程操作指令、擦除操作指令和读操作指令，从而保证读操作的电压范围依然保持不变，使得编程操作、擦除操作相较于现有技术变得简单，提高了NOR flash存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 nor flash 存储器 性能 方法 装置 | ||
【主权项】：
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