[发明专利]一种有序介孔硅碳负极的制备方法在审
| 申请号： | 201910357865.6 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110098395A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 龙赛夫;毛焕宇;刘贯东;戴子峰 | 申请（专利权）人： | 苏州宇量电池有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/1395;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所提供的一种有序介孔硅碳负极的制备方法，包含有序介孔硅材料和该介孔硅材料的孔道内的碳涂层，并且该孔道的孔径为2‑10nm；其中，采用不同的表面活性剂分子合成不同孔径的SiO2；在650℃的氮气氛围下，用MgO做缓和剂，Mg热还原后盐酸刻蚀得到介孔硅材料；酚类碳源脱水负载于孔道，再经高温碳化形成碳负载的介孔硅材料。本发明中，有序的介孔结构可以为硅的体积膨胀提供了缓冲空间；孔道内碳层提高了硅与锂之间的电荷传递反应，因而可以提高整体材料的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 介孔硅材料 孔道 负极 硅碳 介孔 制备 表面活性剂分子 导电性 氮气氛围 电荷传递 高温碳化 缓冲空间 介孔结构 体积膨胀 整体材料 缓和剂 热还原 碳负载 碳涂层 酚类 刻蚀 碳层 脱水 盐酸 合成 | ||
【主权项】：
1.一种有序介孔硅碳负极的制备方法，所述有序介孔硅碳负极作为锂离子电池的负极材料，其特征在于，所述的一种有序介孔硅碳负极的制备方法包括以下步骤：1)准备介孔二氧化硅分子筛；2)将介孔二氧化硅分子筛、金属镁粉和氧化镁按摩尔比1∶(1.5‑2)∶(0‑0.2)均匀混合后置于瓷舟中，然后将其加热至至少650℃，随后保持恒温至少2小时，随后自然冷却；所得的产物经过稀盐酸清洗除去氧化镁，得到介孔硅后在至少60℃的温度条件下进行干燥作业；所述介孔硅材料的孔道的孔径为2‑10nm；3)将合成好的介孔硅加入到丙酮三口烧瓶中，在真空条件下搅拌，随后往其中加入碳源，然后室温搅拌，在至少75℃下蒸发掉丙酮；获得的碳源和介孔硅复合物在至少800℃的N2氛围中煅烧至少5小时后得到介孔硅碳负极。
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