[发明专利]晶片接合方法有效
| 申请号： | 201910358104.2 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110085515B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 周娴;晁阳;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及晶片接合方法。提供了一种晶片接合方法，其包括：提供第一晶片和第二晶片，所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层，所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料；对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行预处理，以使得在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的晶须；以及将第一金属层和第二金属层以彼此面对的方式接合所述第一金属层和第二金属层，以接合所述第一晶片和第二晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 接合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片接合方法，其特征在于，包括：提供第一晶片和第二晶片，所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层，所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料；对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行预处理，以使得在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的晶须；以及将第一金属层和第二金属层以彼此面对的方式接合所述第一金属层和第二金属层，以接合所述第一晶片和第二晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
