[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910358340.4 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111834373A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨金成 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构用于形成阶梯结构的参考标记沿着3D存储器结构的狭缝区域设置，并且3D存储器结构中的狭缝是配置在上述狭缝区域上。在阶梯区域中，通过刻蚀叠层结构中最上面的具有介电层和牺牲层的一对叠层来形成参考标记。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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