[发明专利]一种可并联组合的整流二极管芯片的制造工艺在审
| 申请号： | 201910358368.8 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110061067A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 吴念博 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L23/367;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/22 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;陈昊宇 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种可并联组合的整流二极管芯片的制造工艺；步骤包括：在硅片衬底下表面通过第一掺杂形成下部扩散区；在硅片衬底上、下表面均形成二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除上表面二氧化硅薄膜层的两间隔区域；对两间隔区域进行第二掺杂分别形成上部扩散区，与下部扩散区间隔设置；在两上部扩散区的边缘区域开沟槽；将硅片衬底上表面的二氧化硅薄膜层去除，清洗并形成多晶硅钝化复合薄膜层；在沟槽中形成玻璃钝化层；将两上部扩散区表面的多晶硅钝化复合薄膜层去除，裸露出两上部扩散区；同时去除硅片衬底下表面的薄膜层，裸露出下部扩散区；在两上部扩散区及下部扩散区的表面沉积金属层形成金属电极。本发明工艺简单，成本低且品质高。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散区 硅片 去除 二氧化硅薄膜 整流二极管芯片 衬底下表面 复合薄膜层 间隔区域 制造工艺 多晶硅 可并联 钝化 掺杂 表面沉积金属 玻璃钝化层 衬底上表面 扩散区表面 边缘区域 间隔设置 金属电极 薄膜层 开沟槽 上表面 下表面 衬底 刻蚀 裸露 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种可并联组合的整流二极管芯片的制造工艺；其特征在于：选择硅片衬底，然后按以下步骤进行操作：第一步，在所述硅片衬底下表面通过第一掺杂形成一下部扩散区；第二步，在所述硅片衬底上表面和下表面均形成一层二氧化硅薄膜层；第三步，通过光刻胶掩膜硅片衬底上表面的所述二氧化硅薄膜层除去两间隔区域之外的周边区域，并以此光刻胶作为掩膜层，刻蚀并去除裸露的所述二氧化硅薄膜层上的两所述间隔区域；第四步，对两所述间隔区域进行第二掺杂，从而在两间隔区域中分别形成一上部扩散区，所述上部扩散区在上下方向上与所述下部扩散区间隔设置；第五步，在两所述上部扩散区的边缘区域开沟槽，沟槽的深度为20~40um；第六步，将位于硅片衬底上表面的所述二氧化硅薄膜层去除，并对所述硅片衬底上表面以及所述沟槽进行清洗，然后形成一层多晶硅钝化复合薄膜层；第七步，在所述沟槽中的多晶硅钝化复合薄膜层表面形成一层玻璃钝化层；第八步，将两所述上部扩散区表面的多晶硅钝化复合薄膜层去除，裸露出两上部扩散区；同时去除所述硅片衬底下表面的薄膜层，裸露出所述下部扩散区；第九步，在两所述上部扩散区以及所述下部扩散区的表面分别沉积金属层，形成金属电极。
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