[发明专利]谐振结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910359434.3 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111865249B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;司朝伟;韩国威;杨富华;宁瑾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种谐振结构及其制作方法，结构包括：支撑梁(1)、谐振体(2)，第一电极(3)及第二电极(4)；谐振体(2)介于第一电极(3)及第二电极(4)之间，三者紧贴，谐振体(2)沿平行于第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，支撑梁(1)沿椭圆或者菱形的短对称轴方向贯穿谐振体(2)，谐振结构形成的驻波波长等于椭圆或者菱形的短对称轴的尺寸。该谐振结构能量被约束在谐振器内部，无法沿支撑梁向外耗散，保证了该谐振结构的品质因数，并且谐振结构的特征频率由谐振体横截面的短对称轴尺寸决定，便于在单个衬底上同时制备不同谐振频率的谐振结构。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910359434.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
