[发明专利]低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910360058.X | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110164995A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王国胜;谢峰;王润;王俊;郭进 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低暗电流n‑AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极；所述缓冲层设置在所述衬底顶端，所述缓冲层顶端设置所述吸收层，所述吸收层顶端设置所述覆盖层，所述覆盖层顶端设有所述电极；本发明采用的晶格匹配半绝缘AlxGa1‑xN覆盖层，作为肖特基势垒增强层，对n‑AlGaN紫外探测器的暗电流限制效果显著，器件整体性能得到明显提升。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖层 暗电流 缓冲层 吸收层 顶端设置 电极 衬底 制备 肖特基势垒 紫外探测器 晶格匹配 半绝缘 增强层 | ||
【主权项】：
1.一种低暗电流n‑AlGaN基MSM紫外探测器，其特征在于，包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极；所述缓冲层设置在所述衬底顶端，所述缓冲层顶端设置所述吸收层，所述吸收层顶端设置所述覆盖层，所述覆盖层顶端设有所述电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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