[发明专利]形成具有改进的隔离结构的集成电路的方法

摘要

本发明提供了一种形成具有改进的隔离结构的集成电路的方法，该方法包括形成部分埋置在衬底中的隔离结构。隔离结构的部分从衬底的上表面突出。部分地去除隔离结构，从而形成改进的隔离结构。改进的隔离结构的上表面低于衬底的上表面。形成部分位于衬底上且部分位于改进的隔离结构的上表面上的栅极介电结构。

主权项

1.一种集成电路的形成方法，包括：形成部分埋置在衬底中的隔离结构，所述隔离结构的部分从所述衬底的上表面突出；部分地去除所述隔离结构，从而形成改进的隔离结构，所述改进的隔离结构的上表面低于所述衬底的上表面；以及形成部分位于所述衬底上以及部分位于所述改进的隔离结构的上表面上的栅极介电结构；在所述栅极介电结构的侧壁上形成第一间隔件和第二间隔件；在形成所述第一间隔件和所述第二间隔件之后，在所述衬底中形成源极区和漏极区；在形成所述源极区和所述漏极区之后，形成覆盖所述衬底的层间介电层；形成位于所述层间介电层上方的导线，所述导线直接位于所述改进的隔离结构的上方，并且所述导线和直接位于所述改进的隔离结构上方的栅电极结构之间的第一垂直距离大于所述导线和直接位于第二阱上方的所述栅电极结构之间的第二垂直距离，其中，禁止所述导线的相同导电层的导线设置在位于所述第二阱上方的所述栅电极结构的正上方。