[发明专利]一种银纳米立方块顶角选择性沉积氧化铜的方法及其复合材料有效
| 申请号： | 201910361690.6 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110180554B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘保顺;严岭 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | B01J23/89 | 分类号： | B01J23/89;C23C18/14;B22F9/24;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种银纳米立方块顶角选择性沉积氧化铜的复合材料的制备方法，属于金属‑氧化物纳米复合材料制备领域。本发明所述方法以银纳米立方块为基底，然后在其棱角处沉积CuO，通过使用光沉积法来制备Ag/CuO复合材料。其主要制备步骤如下：步骤一、采用多元醇改性工艺制备银纳米立方块；步骤二、称取适量的银纳米立方块分散于去离子水中；步骤三、加入Cu前驱体溶液、空穴捕获剂，超声、搅拌混合均匀，使用对应的偶极振动峰波长处的带通滤光片在惰性气体氛围下进行光还原沉积CuO。本发明所述方法具有原料易获得，工艺简单、设备要求低、制备时间短，准确控制Cu/Ag比等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 立方 顶角 选择性 沉积 氧化铜 方法 及其 复合材料 | ||
【主权项】：
1.一种银纳米立方块顶角选择性沉积氧化铜的方法，其特征在于主要制备步骤如下：步骤一、采用多元醇改性工艺制备银纳米立方块；步骤二、称取适量的银纳米立方块分散于水中，得到银纳米立方块的水分散液；步骤三、将银纳米立方块分散液中加入Cu前驱体溶液、空穴捕获剂混合均匀，并调节体系pH为6.8～7.2，然后使用银纳米立方块对应的偶极振动峰波长处的带通滤光片在惰性气体氛围下进行光还原沉积CuO，实现在银纳米立方块顶角选择性沉积氧化铜。
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