[发明专利]一种四结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种四结太阳能电池及其制作方法，其中，四结太阳能电池中InGaN电池能够有效的吸收短波光谱能量，进而改善短波的高能粒子对太阳能电池造成影响，使得四结太阳能电池光电转换效率高；其次，GaInP/InGaAs/Ge三结电池为正向生长制备而成，进而减少材料失配造成的缺陷，保证该GaInP/InGaAs/Ge三结电池的可靠性高；以及，对InGaN电池和GaInP/InGaAs/Ge三结电池采用IZO键合层进行键合，进而保证键合处透光性高；此外，键合处采用ITO薄膜作为接触层，在提高欧姆接触的同时，减少对光的反射和吸收情况，保证四结太阳能电池的性能高。

主权项

1.一种四结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一独立电池及正向生长的GaInP/InGaAs/Ge三结电池，所述独立电池包括衬底和位于所述衬底上的InGaN电池；在所述InGaN电池背离所述衬底一侧沉积第一ITO接触层，及在所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池的GaInP顶电池一侧沉积第二ITO接触层；在所述第一ITO接触层背离所述衬底一侧形成第一IZO键合层，及在所述第二ITO接触层背离所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池一侧形成第二IZO键合层；将所述第一IZO键合层和所述第二IZO键合层键合形成IZO键合层；去除所述衬底；在所述InGaN电池背离所述IZO键合层一侧形成正面电极结构，及在所述GaInP/InGaAs/Ge三结电池背离所述IZO键合层一侧形成背面电极结构。