[发明专利]光电二极管及其形成方法在审
| 申请号： | 201910362617.0 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110061100A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 方欣欣;夏春秋;柯天麒 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/103;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种光电二极管及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一掺杂区，所述第一掺杂区为第一掺杂类型；在所述第一掺杂区内形成光电凹陷部；形成第二掺杂类型的第一外延层，所述第一外延层填充所述光电凹陷部的至少一部分；其中，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同。本发明方案可以形成更好的掺杂分布，提高掺杂离子的均匀性，减少对设备的限制，以及降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂类型 光电二极管 凹陷部 掺杂区 外延层 衬底 半导体 掺杂分布 掺杂离子 对设备 均匀性 填充 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一掺杂区，所述第一掺杂区为第一掺杂类型；在所述第一掺杂区内形成光电凹陷部；形成第二掺杂类型的第一外延层，所述第一外延层填充所述光电凹陷部的至少一部分；其中，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
