[发明专利]包含掺碳氧化物的集成组合件及形成集成组合件的方法

摘要

本申请涉及包含掺碳氧化物的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其具有各自拥有晶体管沟道区域且在含金属结构上方的半导体材料结构。掺碳氧化物邻近所述半导体材料结构中的每一者的区域及所述含金属结构的侧壁。一些实施例包含一种集成组合件，其具有半导体材料柱。所述柱中的每一者具有四个侧壁。每一柱的所述四个侧壁中的两者是门控侧壁。所述四个侧壁中的另外两者是非门控侧壁。掺碳二氧化硅邻近且直接抵靠所述非门控侧壁。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。形成半导体材料的轨道。在所述轨道中的每一者的顶表面及侧壁表面附近形成掺碳二氧化硅层。形成将所述轨道的所述半导体材料切割为柱的沟槽。在所述沟槽内且沿所述柱形成字线。

主权项

1.一种集成组合件，其包括：半导体材料结构，其各自包括晶体管沟道区域，且其在含金属结构上方；及掺碳氧化物，其邻近且直接抵靠所述半导体材料结构中的每一者的至少部分，且邻近且直接抵靠所述含金属结构的侧壁；所述掺碳氧化物具有至少约3体积％的碳浓度。