[发明专利]使用附加带电区域来改善电荷俘获存储器结构中的存储有效
| 申请号： | 201910367528.5 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110097908B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | A·黎萨尔;A·P·迈尔;Y·舒尔;E·格吉;B·鲍姆 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26;H10B43/30 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘玉洁 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及使用附加带电区域来改善电荷俘获存储器结构中的存储。本发明公开了一种设备，该设备包括存储器和读/写(R/W)单元。该存储器包括耦接到公共电荷俘获层的多个栅极。该R/W单元被配置为通过生成并读取公共电荷俘获层中的一组带电区域来对存储器进行编程和读取，其中该一组中的至少给定区域并非唯一地与栅极中的任何单个栅极相关联。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 附加 带电 区域 改善 电荷 俘获 存储器 结构 中的 存储 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括多个控制栅极中的相应控制栅极，并且其中所述多个控制栅极中的每个控制栅极耦接到公共电荷俘获层；和控制电路，被配置为：在电荷俘获层的第一部分中生成第一带电区域，所述电荷俘获层的第一部分位于所述多个控制栅极中的第一控制栅极和第二控制栅极之间；接收要存储在所述多个存储器单元中的多个数据位值；通过在与第一控制栅极对应的电荷俘获层的第二部分中生成第二带电区域来存储所述多个数据位值中的第一数据位值；以及通过在与第二控制栅极对应的电荷俘获层的第三部分中生成第三带电区域来存储所述多个数据位值中的第二数据位值。
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