[发明专利]锑化物超晶格雪崩光电二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910367634.3 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110518085B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘家丰;赵宇;吴启花;黄勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锑化物超晶格雪崩光电二极管及其制备方法。该光电二极管包括：P型衬底；P型InAs/GaSb超晶格吸收层，设置于所述P型衬底上；P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层，设置于所述P型InAs/GaSb超晶格吸收层上；P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层，设置于所述P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层上；N型InAsP/InAsSb超晶格接触层，设置于所述P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层上；第一电极，设置于所述P型衬底上；以及第二电极，设置于所述N型InAsP/InAsSb超晶格接触层上。本发明通过全新的P型InAsP/InAsSb超晶格作为电荷层和倍增层，在引入异质结构的同时不影响电子的输运，并且InAsP/InAsSb超晶格的空穴和电子离化率比比体材料AlGaAsSb差异更大，APD噪声更小，且倍增层为无Al、无Ga的材料，因此器件性能更加优异。 | ||
| 搜索关键词： | 锑化物超 晶格 雪崩 光电二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锑化物超晶格雪崩光电二极管，其特征在于，包括：/nP型衬底(10)；/nP型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)，设置于所述P型衬底(10)上；/nP型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)，设置于所述P型InAs/GaSb超晶格吸收层(20)上；/nP型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)，设置于所述P型InAsP/InAsSb超晶格电荷层(30)上；/nN型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)，设置于所述P型InAsP/InAsSb超晶格倍增层(40)上；/n第一电极(60)，设置于所述P型衬底(10)上；以及/n第二电极(70)，设置于所述N型InAsP/InAsSb超晶格接触层(50)上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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