[发明专利]基于阳极氧化铝模板的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列方法

摘要

本发明涉及一种基于阳极氧化铝模板、的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列的制备方法，通过纳米压印阳极氧化铝，模板方法制备了高度有序的一维镍纳米阵列，并在此基础上利用SILAR在镍纳米阵列上包裹一定厚度的钒酸铋颗粒以形成一维的钒酸铋‑镍纳米阵列。本发明合成条件温和，操作简便并且重复率很高，通过进一步的光电催化性能测试表明该一维纳米结构光电极在光催化分解水时具有较高的光响应电流、较高的光吸收效率以及较好的光腐蚀稳定性。因此，通过上述方法制备得到的一维钒酸铋‑镍纳米阵列是一种新颖的、效率较高的光电极，其为钒酸铋半导体材料用于光电催化能源转化的研究带来了新的发展启示。

主权项

1.基于阳极氧化铝模板的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)铝片预处理：将铝片裁剪成大小相等的圆，再进行清洗并进行电化学抛光；(2)纳米压印：用带有图案的复形镍膜在预处理后的铝片上进行压印；(3)阳极氧化：采用电解池，通过施加电压在铝表面进行缓慢氧化形成氧化铝；(4)热蒸发镀金层：用物理气相沉积的方法在真空镀膜机中将AAO模板孔道内及表面热蒸发镀上一定厚度金层；(5)电化学沉积Ni基底：使用电化学工作站中的两电极系统在镀有Au层的AAO模板那面脉冲电沉积一定厚度的镍膜；(6)镍纳米阵列基底膜制备：将覆盖在孔道上的Ni阵列基底膜从AAO模板上剥离，得到高度有序的镍纳米阵列基底膜；(7)BiVO₄‑Ni纳米阵列制备：利用连续离子层吸附反应(SILAR)制备方法，在Ni纳米阵列基底膜上沉积一定圈数、均匀的BiVO₄纳米颗粒薄膜；(8)退火结晶：将上一步制备好的BiVO₄‑Ni纳米阵列放入马弗炉中空气退火。