[发明专利]背照式图像传感器芯片及其制作方法、内窥镜探测头在审
申请号: | 201910368284.2 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN110112158A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 林峰;叶果 | 申请(专利权)人: | 豪威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B1/04;A61B1/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种背照式图像传感器芯片及其制作方法、内窥镜探测头。背照式图像传感器芯片上设置有透光孔,透光孔贯穿衬底和位于衬底上的器件层,使光线能直接通过背照式图像传感器芯片。内窥镜探测头,包括背照式图像传感器芯片,以及与背照式图像传感器芯片堆叠设置的光源模块;光源模块设置于远离背照式图像传感器芯片的像素的一侧,内窥镜探测头在垂直于探测头轴线的横截面内可有充分面积制作背照式图像传感器芯片,相应的背照式图像传感器芯片可制作较多的像素,像素面积增大,提升了成像质量,同时光源模块堆叠设置在背照式图像传感器芯片上,光源模块也有充分的面积,可提供成像需要的足够的光亮度,提升成像质量。 | ||
搜索关键词: | 背照式图像传感器 芯片 探测头 内窥镜 光源模块 像素 成像 透光孔 制作 衬底 堆叠设置 面积增大 芯片堆叠 器件层 垂直 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种背照式图像传感器芯片,其包括衬底和位于所述衬底上的器件层,其特征在于,所述背照式图像传感器芯片上设置有透光孔,所述透光孔贯穿所述衬底和位于所述衬底上的器件层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技(上海)有限公司,未经豪威科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910368284.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种图像传感器
- 下一篇:图像传感器及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的