[发明专利]一种紫外LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910368820.9 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110047980B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李光;郑悠 | 申请（专利权）人： | 深圳市洲明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳协成知识产权代理事务所(普通合伙) 44458 | 代理人： | 章小燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED外延结构及其制备方法，属于LED半导体技术领域，包括由底向上设置的衬底、AlGaN缓冲层、N型AlGaN层、空穴阻挡层、有源区、电子阻档层和p型AlGaN层；所述空穴阻挡层和电子阻挡层包含多个线性变化铝组分结构层和固定铝组分结构层。本发明能够有效的解决有源区与电子阻挡层之间的极化效应，同时也能够降低电子和空穴泄露概率，从而改善紫外LED的内量子效率与光输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED外延结构，包括由底向上设置的衬底、AlGaN缓冲层、N型AlGaN层、空穴阻挡层、有源区、电子阻档层和p型AlGaN层；所述空穴阻挡层和电子阻挡层分别包含多个线性变化铝组分的结构层和固定铝组分的结构层。
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