[发明专利]集成电路在审
| 申请号： | 201910370062.4 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111725209A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 赵传珍;王是琦;许淑媛 | 申请（专利权）人： | 立积电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人： | 刘民选 |
| 地址： | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路包括逻辑电路与放大电路，特别是低噪声放大电路。放大电路包括至少一第一晶体管。第一晶体管的栅极耦接信号输入端，且第一晶体管的源极区与漏极区分别形成于栅极两侧的第一晶体管的井区中，其中源极区耦接一参考电压端，且源极区的片电阻低于漏极区的片电阻。逻辑电路则包括至少一第二晶体管，第二晶体管的源极区的片电阻以及漏极区的片电阻相等。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
