[发明专利]一种云平台连接端口控制装置及控制方法

摘要

本发明公开了一种云平台连接端口控制装置及控制方法，包括端口控制系统、上层检测通讯系统、传输系统和缓冲存储系统，所述端口控制装置针对多路连接端口进行分组整合，通过电路进行统一管理，加强了端口数据上传的并行处理速度；所述上层检测通讯系统可以对长命令数据进行标识和分组传输；所述缓冲存储系统可以对传送过程中因意外中断和分段标识产生的数据进行暂时存储，保证整个数据上传过程中的稳定性和安全性。本发明可以针对多连接端口装置进行端口统一管理，加强了多端口数据传输的稳定性，数据分段标识和缓冲暂存的方法进一步解决了因为多路数据传输造成的数据错乱，加强了数据处理的稳定性和准确度。

主权项

1.一种云平台连接端口控制装置，包括端口控制系统、上层检测通讯系统、传输系统和缓冲存储系统，/n端口控制系统，其特征在于，包括一种端口控制电路，具体可以分为输入电流控制模块、输出保护模块和四路控制模块，通过对端口数据进行分组，实现多系统数据的同步处理支路，提高数据处理的运行能力和运行速度；/n上层检测通讯系统，根据自定义的传输口令，对检测通讯的内容进行传输，减少因为传输协议错漏造成的数据错乱问题，加强数据接收的准确性；/n传输系统，对接受到的数据进行分别进行上下层的数据流传输，自上而下和自下而上的两种运行模式互不干扰；/n缓冲存储系统，对传输过程中出现的数据错误模式进行数据缓冲保存，根据协议算法对缓冲的数据进行排错处理之后，完成数据的再次上传，是云平台连接系统中的中转站；/n所述输入电流控制模块，包括运算放大器AR1、电机MO1、电流表M1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D11、MOS管Q1、电感L1和电阻R1，所述二极管D11的正极与电压信号Vref连接，所述二极管D11的负极与所述运算放大器AR1的第二引脚连接，所述运算放大器AR1的第一引脚与所述运算放大器AR1的第四引脚、所述运算放大器AR1的第五引脚、所述运算放大器AR1的第七引脚、所述运算放大器AR1的第八引脚均为断路，所述运算放大器AR1的第六引脚与所述电机MO1的一端连接，所述电机MO1的另一端分别与所述电感L1的一端、所述二极管D3的负极、所述二极管D1的负极连接，所述电感L1的另一端分别与所述二极管D5的正极、所述MOS管Q1的D极连接，所述二极管D5的负极分别与所述电阻R1的一端、所述运算放大器AR1的第三引脚连接，所述电阻R1的另一端分别与所述MOS管Q1的S极、所述二极管D4的正极、所述二极管D2的正极连接，所述二极管D4的负极分别与所述二极管D3的正极、所述电流表M1的一端连接，所述二极管D2的负极分别与所述二极管D1的正极、所述电流表M1的另一端连接；/n所述输出保护模块，包括电桥DB1、运算放大器AR2、MOS管Q2、二极管D6、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4，所述电桥DB1的第二引脚分别与所述电阻R3的一端、所述电容C3的一端、所述电容C1的一端、所述电容C2的一端连接，所述电桥DB1的第四引脚与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端分别与所述二极管D6的正极、所述MOS管Q2的S极连接，所述二极管D6的负极与所述电容C3的另一端连接，所述MOS管Q2的S极接地，所述电阻R3的另一端与所述MOS管Q2的G极连接，所述电容C1的另一端分别与所述电容C2的另一端、所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述运算放大器AR2的第二引脚连接，所述运算放大器AR2的第一引脚与所述运算放大器AR2的第四引脚、所述运算放大器AR2的第五引脚、所述运算放大器AR2的第七引脚、所述运算放大器AR2的第八引脚均为断路，所述运算放大器AR2的第六引脚分别与电压信号Vout、所述电阻R5的一端连接，所述运算放大器AR2的第三引脚分别与所述电阻R5的另一端、所述电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端接地；/n所述四路控制模块，包括集成芯片U1、振荡器Y1、开关S1、三极管Q3、三极管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电感L2、电感L3、电感L4、二极管D7、二极管D8、二极管D9和二极管D10，所述电桥DB1的第一引脚分别与所述电阻R7的一端、所述集成芯片U1的第十六引脚、所述集成芯片U1的第四引脚、电压信号Vcc连接，所述电阻R7的另一端与所述集成芯片U1的第七引脚连接，所述电桥DB1的第三引脚与所述集成芯片U1的第九引脚连接，所述集成芯片U1的第十引脚与所述集成芯片U1的第十一引脚、所述集成芯片U1的第十二引脚、所述集成芯片U1的第十三引脚、所述集成芯片U1的第十四引脚、所述集成芯片U1的第十五引脚均为断路，所述集成芯片U1的第六引脚分别与所述振荡器Y1的一端、所述电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端与所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端分别与所述振荡器Y1的另一端、所述开关S1的一端连接，所述开关S1的另一端与所述集成芯片U1的第一引脚连接，所述集成芯片U1的第八引脚接地，所述集成芯片U1的第三引脚与所述电感L4的一端连接，所述电感L4的另一端分别与所述MOS管Q5的G极、所述MOS管Q6的G极连接，所述集成芯片U1的第二引脚分别与所述电阻R9的一端、所述电容C9的一端连接，所述电容C9的另一端接地，所述电阻R9的另一端与电压信号Vref连接，所述集成芯片U1的第五引脚与所述电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端分别与所述三极管Q3的发射极、所述二极管D7的负极、所述电容C5的一端、所述三极管Q4的发射极、所述二极管D8的负极、所述电容C6的一端连接，所述三极管Q4的基极与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端分别与所述三极管Q3的基极、电压信号Vin、所述MOS管Q1的G极连接，所述三极管Q3的集电极分别与所述二极管D7的正极、所述电容C5的另一端、所述MOS管Q5的D极、所述二极管D9的正极、所述电容C7的一端连接，所述电容C7的另一端分别与所述二极管D9的负极、所述MOS管Q5的S极、所述MOS管Q6的D极、所述二极管D10的负极、所述电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端分别与所述二极管D10的正极、所述MOS管Q6的S极、所述电容C6的另一端、所述二极管D8的正极、所述三极管Q4的集电极连接。/n