[发明专利]一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路

摘要

本发明公开了一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路，在晶体管QB3和晶体管QB4的发射极加入两种不同类型的电阻，可减小在高电源电压下由于PNP型晶体管有限的厄力电压导致的电流源无法被准确镜像的缺陷，从而确保流入输入NPN管和PNP管的电流源大小一致。本发明可保证在不同电源电压下输入PNP对晶体管Q1和晶体管Q2的输入偏置电流几乎不随共模电压的变化而变化，即在不同电源下，输入偏置电流随共模电压的变化曲线可表现的更为平坦；本发明采用温漂系数相反的基区电阻RB1和多晶硅电阻RB2，可形成温度补偿，使输入PNP对管的基极电流随温度变化范围更大，与NPN管的基极电流随温度变化范围相当，二者相加后，在整个温度范围内输入偏置电流的温漂特性得到优化。

主权项

1.一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路，其特征在于，包括基极与反向输入信号VINN相连的晶体管Q1和晶体管Q3、基极与正向输入信号VINP相连的晶体管Q2和晶体管Q4，以及基极与偏置电压Vbias相连的晶体管QB1和晶体管QB2；晶体管Q3和晶体管Q4的发射极与晶体管QB1的集电极均与晶体管QB1的集电极相连；晶体管Q3和晶体管Q4的集电极与电源电压AVDD相连；晶体管QB1和晶体管QB2的发射极接地；晶体管Q1和晶体管Q2的发射极均与晶体管QB4的集电极相连，晶体管QB2集电极与晶体管QB3的基极和集电极相连，并与晶体管QB4的基极相连；晶体管Q1和晶体管Q2的集电极接地；晶体管QB3和晶体管QB4的发射极同电阻RB1和电阻RB2共同连接于电源电压AVDD。