[发明专利]一种基于表面二氧化硅改性的高选择性二氧化锡气体传感器在审
| 申请号： | 201910372263.8 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110186960A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张覃轶;孟鑫 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器。它以二甲基二乙氧基硅烷为硅源，利用化学气相沉积技术在SnO2气体传感器表面沉积一层致密SiO2层而得到。本发明提供的高选择性氢气传感器选择性大幅提高，可有效降低乙醇、丙酮等大分子气体对氢气的干扰。氢气检测灵敏度高，对氢气的响应值最大为140左右，工作温度最低可达到200℃。 | ||
| 搜索关键词： | 高选择性 气体传感器 氢气传感器 氢气 改性 二甲基二乙氧基硅烷 致密 表面二氧化硅 化学气相沉积 大分子气体 表面沉积 二氧化锡 氢气检测 灵敏度 乙醇 丙酮 硅源 响应 | ||
【主权项】：
1.一种基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器，其特征在于：它以二甲基二乙氧基硅烷为硅源，利用化学气相沉积技术在SnO2气体传感器表面沉积一层致密SiO2层而得到。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910372263.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
