[发明专利]半导体设备的操作方法在审
| 申请号： | 201910372736.4 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110647011A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 施柏铭;廖啟宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露是关于一种半导体设备的操作方法，其包括产生目标材料微滴；激发目标材料微滴以产生用于曝露晶圆的辐射；在激发目标材料微滴之后通过捕获器接收目标材料微滴，其中捕获器具有前段、后段及后段处的排出口；加热捕获器的后段使得后段中的目标材料微滴处于液相中；及保持捕获器的前段的温度低于捕获器的后段的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 捕获器 后段 微滴 目标材料 半导体设备 接收目标 排出口 激发 晶圆 曝露 加热 辐射 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备的操作方法，其特征在于，包含：/n产生一目标材料微滴；/n激发该目标材料微滴以产生用于曝露一晶圆的辐射；/n在激发该目标材料微滴之后通过一捕获器接收该目标材料微滴，其中该捕获器具有一前段、一后段及该后段处的一排出口；/n加热该捕获器的该后段使得该后段中的该目标材料微滴在一液相中；及/n保持该捕获器的该前段的一温度低于该捕获器的该后段的一温度。/n
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