[发明专利]一种高压多次外延型超结MOSFET的结构及制造方法在审
| 申请号： | 201910373791.5 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110010694A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 薛璐;王颖菲;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高压多次外延型超结MOSFET的结构，超结器件单元包括第一导电类型第一外延层及第一导电类型衬底，在第一导电类型第一外延层上设有第一导电类型第二外延层，第一导电类型第二外延层内设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区下方设有第二导电类型柱，第二导电类型柱从第二导电类型体区底部穿过第一导电类型第二外延层延伸至第一导电类型第一外延层内，且第二导电类型柱深入到第一导电类型第一外延层内的深度不超过5μm；本发明通过多次外延工艺，生长两种不同电阻率的外延层，通过调整P型柱深入N型第一外延层的深度、调整N型第一外延层和N型第二外延层的电阻率和厚度，可以实现更高的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 第一导电类型 导电类型 体区 超结MOSFET 电阻率 半导体器件 超结器件 耐压能力 外延工艺 衬底 制造 穿过 生长 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种高压多次外延型超结MOSFET的结构，包括若干个相互并联的超结器件单元，所述超结器件单元包括第一导电类型第一外延层（2）及位于第一导电类型第一外延层（2）下方的第一导电类型衬底（1），其特征在于，在所述第一导电类型第一外延层（2）上设有多次外延形成的第一导电类型第二外延层（3），所述第一导电类型第二外延层（3）内设有第二导电类型体区（4），在所述第二导电类型体区（4）下方设有多次外延第二导电类型柱（6），所述多次外延第二导电类型柱（6）从第二导电类型体区（4）底部穿过第一导电类型第二外延层（3）延伸至第一导电类型第一外延层（2）内，且多次外延第二导电类型柱（6）深入到第一导电类型第一外延层（2）内的深度不超过5μm。
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