[发明专利]一种用于MEMS器件的封装应力隔离微结构在审

专利信息
申请号: 201910374176.6 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN110143565A 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 周斌;张嵘;邢博文;魏琦 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 王春霞
地址: 100084 北京市海淀区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于MEMS器件的封装应力隔离微结构。所述封装应力隔离微结构包括上极板和下极板;由下至上,MEMS器件包括基底层、走线层和结构层;上极板采用与基底层相同的材料制成;下极板采用与封装MEMS器件的封装管壳膨胀系数相近的材料制成;上极板与下极板通过锚点柱相连接。与现有技术相比,本发明具备如下优点:(1)通过保证材料与MEMS器件基底一致的方式完全消除粘接面上热膨胀系数失配带来的热应力;(2)微结构采用刻蚀、键合等常规MEMS工艺,加工方式简单,可大批量生产;(3)可适用各种基底的MEMS器件,实用性强。
搜索关键词: 微结构 封装应力 上极板 下极板 基底层 隔离 基底 热膨胀系数 封装管壳 膨胀系数 结构层 热应力 走线层 键合 刻蚀 锚点 失配 粘接 封装 加工 保证 生产
【主权项】:
1.一种用于MEMS器件的封装应力隔离微结构,包括上极板和下极板;由下至上,所述MEMS器件包括基底层、走线层和结构层;所述上极板采用与所述基底层相同的材料制成;所述下极板采用与封装所述MEMS器件的封装管壳膨胀系数相近的材料制成;所述上极板与所述下极板通过锚点柱相连接。
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