[发明专利]一种用于调查晶圆背面异常的定位方法有效

专利信息
申请号: 201910374869.5 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN110190007B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 潘志宣 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/68
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种用于调查晶圆背面异常的定位方法,提供一套集光源、透镜、定位图案等构件于一体而获得集成电路生产中调查晶圆背面异常的定位电子图像;通常使用场合,光源、透镜、定位图案以及晶圆位于同一直线上而易获得满意的背面图像;调整透镜与所述光源的距离,使得定位图案的投影边缘与晶圆的边缘对准;通过照相或图示记录纸记录晶圆背面待测图像中的异常点所在位置。本发明利用电子定位图案直接投影在晶圆待测背面上实现晶圆背面的精准定位。调整位置使图案槽口标记与晶圆槽口对准,图案边缘与晶圆边缘对准获得最后的实际照相效果图,定位精度高,使用方便。
搜索关键词: 一种 用于 调查 背面 异常 定位 方法
【主权项】:
1.一种用于调查晶圆背面异常的定位方法,其特征在于,所述方法至少包括以下步骤:步骤一、提供光源、透镜、定位图案以及晶圆的背面待测图像;步骤二、将所述透镜置于所述光源和所述定位图案之间;将所述晶圆的背面待测图像置于所述定位图案的透光一侧;所述光源、透镜、定位图案以及所述晶圆的背面待测图像的中心位于一条直线上;步骤三、调整所述透镜与所述光源的距离,使得所述定位图案的投影边缘与所述晶圆的背面待测图像边缘对准;所述定位图案中的槽口标记与晶圆背面待测图像槽口标记重合,使图像清晰;步骤四、记录所述晶圆背面待测图像中的晶圆异常点所在定位图案中的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910374869.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top