[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201910375055.3 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110459590A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | R.西米尼克;T.艾兴格;T.巴斯勒;W.贝格纳;R.埃尔佩尔特;R.埃斯特韦;M.黑尔;D.屈克;C.莱恩德茨;D.彼得斯;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡莉莉;申屠伟进<国际申请>=<国际公布 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请涉及碳化硅半导体器件。半导体器件（500）具有从第一表面（101）出发延伸到SiC半导体本体（100）中的栅极结构（150）。在所述SiC半导体本体（100）中的体区（120）至少与所述栅极结构（150）的第一侧壁（151）邻接。导电类型为所述体区（120）的导电类型的第一屏蔽区和第二屏蔽区（161，162）为所述体区（120）至少两倍高地掺杂。二极管区（140）在所述第一屏蔽区（161）和所述第二屏蔽区（162）之间与负载电极（310）形成肖特基接触（SC）。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽区 体区 半导体本体 导电类型 栅极结构 碳化硅半导体器件 半导体器件 肖特基接触 第一表面 第一侧壁 二极管区 负载电极 邻接 掺杂 高地 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其具有：/n栅极结构（150），所述栅极结构（150）从第一表面（101）出发延伸到SiC半导体本体（100）中；/n在所述SiC半导体本体（100）中的体区（120），所述体区（120）至少与所述栅极结构（150）的第一侧壁（151）邻接；/n导电类型为所述体区（120）的导电类型的第一屏蔽区和第二屏蔽区（161，162），其中所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区（161，162）为所述体区（120）至少两倍高地掺杂；以及/n二极管区（140），所述二极管区（140）在所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区（161，162）之间与负载电极（310）形成肖特基接触（SC）。/n
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