[发明专利]一种具有较高工作频率的MRAM有效
| 申请号： | 201910376306.X | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110111822B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰;刘鑫;于平平;梁海莲;张曙斌 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 林娟 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有较高工作频率的MRAM，属于计算机存储技术领域。所述磁性随机存取存储器基于2T1MTJ单元结构，在其基础上增加读位线以及辅助电路，用于分离读/写位线以及辅助电流传送，将读取电压快速偏置到选定的位线。本发明通过在2T1MTJ单元结构的基础上增加读位线以及辅助电路，用于分离读/写位线以及辅助电流传送，将读取电压快速偏置到选定的位线，从而提高响应速度，半轴旋转架构有效地减小了位线电容，提高了MRAM的读写速度，进一步在以2T1MTJ单元组成的阵列为基础的MRAM基本架构中添加电流传送器，加快电压的偏置，从而提高响应速度，提高整个MRAM的工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 工作 频率 mram | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存取存储器，其特征在于，所述磁性随机存取存储器基于2T1MTJ单元结构，在其基础上增加读位线以及辅助电路，用于分离读/写位线以及辅助电流传送，将读取电压快速偏置到选定的位线。
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