[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了半导体器件。半导体器件包括器件区和终端区，终端区围绕器件区，器件区包括具有第一导电类型的多个肖特基区和具有第二导电类型的多个二极管区，器件区包括中心区域和边缘区域，多个二极管区包括第一多个二极管区和第二多个二极管区，第一多个二极管区设置在所述中心区域，第二多个二极管区设置在边缘区域，第一多个二极管区中第二导电类型的杂质的平均杂质浓度高于第二多个二极管区中第二导电类型的杂质的平均杂质浓度。根据本发明的半导体器件能够改善器件中的电流分布，提高器件的抗浪涌能力，使器件具有更好的电学性能。