[发明专利]一种碳化硅基光催化剂的制备方法及应用有效
申请号: | 201910377368.2 | 申请日: | 2019-05-04 |
公开(公告)号: | CN109954509B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 张燕;张玉琰;郦雪;李绘;吕宪俊;陈平;胡术刚 | 申请(专利权)人: | 山东科技大学 |
主分类号: | B01J27/224 | 分类号: | B01J27/224;B01J35/10;C01B3/04 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 赵园园 |
地址: | 266590 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
本发明公开了一种碳化硅基双助产氢光催化剂的制备方法及应用,包括以下步骤:a对碳化硅进行前处理;b以二硫化钼为原料,制备整个水热反应体系8wt%二硫化钼悬浮液;c取100mL 8wt%二硫化钼悬浮液置于烧杯中,依次加入碳化硅(SiC)、氧化石墨烯(GO)及2滴1‑丁基‑3‑甲基咪唑六氟磷酸盐离子液体,超声搅拌使其混合均匀,d将其转移至高温反应釜中,于200℃下反应20h,然后离心洗涤至pH=7,将其置于真空干燥箱,真空干燥后备用。水热合成得到碳化硅基双助产氢光催化剂。本发明利用GO以及二硫化钼(MoS |
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搜索关键词: | 一种 碳化硅 光催化剂 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种碳化硅基光催化剂的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:(1)纯SiC制备:将SiC粉末在高温下焙烧,自然降至室温,以去除杂质碳;然后在质量分数为2%HF溶液中密封避光浸泡,去除SiO2和其他氧化物;最后用去离子水反复离心洗涤至pH=7,置于真空干燥箱,得到纯SiC;(2)MoS2悬浮液:将MoS2置于去离子水,混合均匀,得到MoS2悬浮液;(3)混合:向MoS2悬浮液中,依次加入纯SiC、GO及离子液体,超声搅拌使其混合均匀;(4)水热反应制备碳化硅基光催化剂:将步骤(3)得到的悬浮液转移至高温反应釜中,于200℃下反应一段时间,然后离心洗涤至pH=7,真空干燥,得到光催化材料,所述水热反应体系中,以钼元素计MoS2的重量百分比为2‑10%,以碳元素计GO的重量百分比为0.5‑3%。
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