[发明专利]一种Ge掺Bi2Te3热电薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201910377764.5 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110055494A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 龙剑平;姚富友;刘春海;陈青松;赵莎;程妍;唐柳群;何国良 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 曹少华 |
| 地址： | 610059 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ge掺Bi2Te3热电薄膜制备方法，包括以下步骤：步骤1，将硅玻璃基片进行清洗，在丙酮中进行超声并进行干燥；步骤2，硅玻璃基片放入舱室进行烘干；步骤3，将硅玻璃基片放入磁控溅射基片台，进行溅射；步骤4，二次溅射，采用在线加热，真空保温去应力。本发明的优点在于：采用的是在线加热的方式，采用磁控溅射技术，改变Ge含量比，提高Bi2Te3薄膜的性能。对于真空条件下降温保护去应力，便于薄膜和基板之间进行结合。操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 硅玻璃 热电薄膜 在线加热 去应力 放入 溅射 制备 薄膜 磁控溅射技术 舱室 磁控溅射 真空保温 真空条件 含量比 基片台 烘干 丙酮 超声 基板 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种Ge掺Bi2Te3热电薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将硅玻璃基片进行清洗，在丙酮中进行超声，10‑15min，然后将玻璃基片放入无水乙醇中进行再次超声，10‑20min，将玻璃基片进行干燥；步骤2，硅玻璃基片放入舱室进行烘干，同时进行抽真空，将舱室多余水分抽出，待达到所需要的真空度后开始磁控溅射基片台升温，将磁控溅射基片台温度预先升温到50℃，保温10分钟，待温度稳定后继续升温，反复升温到200℃后保温10分钟；步骤3，将硅玻璃基片放入磁控溅射基片台，进行预溅射，预溅射时间为5‑10min，充分将硅玻璃基片的表面进行清洗，去除表面附着物，便于Be2Ti3薄膜的沉积；步骤4，二次溅射，采用在线加热，真空保温去应力，溅射靶材与硅玻璃基片表面之间的距离为5cm。
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