[发明专利]一种基于PI型忆阻器的三阶非自治混沌信号发生器在审
| 申请号： | 201910378833.4 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110224809A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 包伯成;罗姣燕;陈成杰;祁建伟;陈墨;徐权 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 于桂贤 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于PI型忆阻器的三阶非自治混沌信号发生器，通过将PI型忆阻器引入二阶RLC振荡电路，外加正弦电压驱动，设计出一种三阶非自治忆阻混沌信号发生器。该电路结构简单，而且可以通过调节外加正弦电压的幅值和频率得到丰富的混沌信号。 | ||
| 搜索关键词： | 混沌信号发生器 忆阻器 三阶 正弦电压 电路结构 混沌信号 二阶 驱动 引入 | ||
【主权项】：
1.一种基于PI型忆阻器的三阶非自治混沌信号发生器，其特征在于：包括正弦电压信号源VS、电阻R、电容C、电感L，PI型忆阻器W，其中，电阻R与电感L串联后再与电容C并联构成二阶RLC振荡电路，正弦电压信号源VS串联在电阻R与电感L的串联电路中作为二阶RLC振荡电路的驱动电压，PI型忆阻器W并联在电容C两端，得到三阶非自治忆阻混沌电路，且将电感L两端的电流记为iL，电容C两端的电压记为vC，PI型忆阻器W两端的电流记为i，PI型忆阻器W两端的电压记为v。
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