[发明专利]一种含铈高强度无取向硅钢薄带及其制备方法有效
| 申请号： | 201910379352.5 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110129671B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 程朝阳;刘静;付兵;宋新莉;贾涓;卢海龙;余春雷 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C22C38/02 | 分类号： | C22C38/02;C22C38/06;C22C38/04;C21D8/12 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含铈高强度无取向硅钢薄带及其制备方法。其技术方案是：所述含铈高强度无取向硅钢薄带的化学成分是：Si为3.0～3.5wt％，Al为0.5～1.0wt％，Mn为0.1～1.0wt％，Ce为0.01～0.03wt％，其余为Fe和不可避免的杂质；按所述含铈高强度无取向硅钢薄带的化学成分冶炼，在1400～1550℃条件下浇铸成板坯，将所述板坯在1200～1300℃条件下热轧至厚度为0.8～1.5mm的热轧板；再将所述热轧板在室温条件下冷轧至0.1～0.3mm，即得含铈无取向硅钢薄带；然后将所述含铈无取向硅钢薄带进行再结晶退火，即得含铈高强度无取向硅钢薄带。本发明具有工艺简单、生产周期短和制备成本低的特点，所制备的含铈高强度无取向硅钢薄带强度大、铁损低和磁感高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含铈高 强度 取向 硅钢 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含铈高强度无取向硅钢薄带的制备方法，其特征在于所述含铈高强度无取向硅钢薄带的化学成分是：Si为3.0～3.5wt％，Al为0.5～1.0wt％，Mn为0.1～1.0wt％，Ce为0.01～0.03wt％，其余为Fe和不可避免的杂质；所述含铈高强度无取向硅钢薄带的制备方法是：按所述含铈高强度无取向硅钢薄带的化学成分进行冶炼，在1400～1550℃条件下浇铸成板坯，将所述板坯在1200～1300℃条件下热轧至厚度为0.8～1.5mm的热轧板；再将所述热轧板在室温条件下冷轧至0.1～0.3mm，即得含铈无取向硅钢薄带；然后将所述含铈无取向硅钢薄带进行再结晶退火，即得含铈高强度无取向硅钢薄带。
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