[发明专利]半导体器件导通状态下负载短路冲击装置、冲击系统和冲击方法有效
| 申请号： | 201910379651.9 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110082662B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 石磊;王萍;宋绍京;桂林;高鸣 | 申请（专利权）人： | 上海第二工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;刘琰 |
| 地址： | 201209 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件导通状态下负载短路冲击装置，该装置包含：与半导体器件的源极和漏极电路连接组成回路的直流电源和负载；栅压提供电路，其电路连接半导体器件栅极和源极，向半导体器件施加栅压，使半导体器件导通；短路机构，其与负载并联连接，常态下电性不导通；短路控制电路，其电路连接短路机构，控制短路机构电性导通使负载短路，实现直流电源施加于半导体器件源极和漏极两端，对半导体器件进行冲击。本发明提供器件导通时负载突然短路的冲击效果，冲击时间和强度可调，实现器件在临界值下进行多次冲击。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 状态 负载 短路 冲击 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件导通状态下负载短路冲击装置，其特征在于，该装置包含：与半导体器件的源极和漏极电路连接组成回路的直流电源和负载；栅压提供电路，其电路连接半导体器件栅极和源极，向半导体器件施加栅压，使半导体器件导通；短路机构，其与负载并联连接，常态下电性不导通；短路控制电路，其电路连接短路机构，控制短路机构电性导通使负载短路，实现直流电源施加于半导体器件源极和漏极两端，对半导体器件进行冲击。
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