[发明专利]动态P2L异步功率损耗降低在审

专利信息
申请号: 201910380390.2 申请日: 2019-05-08
公开(公告)号: CN110459256A 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: G·德利赛奥;罗贤刚;罗婷;J·黄 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G06F3/06
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王龙<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请提供动态P2L异步功率损耗降低。公开系统和方法,其包含:在包括控制电路系统和具有多组存储器单元的存储器阵列的存储系统中,例如当从包含异步功率损耗APL的低功率状态恢复操作时,将用于第一组存储器单元的第一物理区域的第一物理到逻辑P2L数据结构存储在所述第一组存储器单元的第二物理区域中。所述第一组存储器单元可以包含存储器单元的超级块。可以将用于所述第一组存储器单元的所述第二物理区域的第二P2L数据结构存储在例如所述第二物理区域的元数据区域中,并且可以将所述第一P2L数据结构的地址存储在所述第二P2L数据结构中。
搜索关键词: 存储器单元 物理区域 数据结构存储 数据结构 功率损耗降低 控制电路系统 存储器阵列 低功率状态 存储系统 地址存储 功率损耗 公开系统 恢复操作 超级块 元数据 申请
【主权项】:
1.一种系统,其包括:/n存储系统,其包括控制电路系统和具有多组存储器单元的存储器阵列,其中,当从低功率状态恢复操作时,所述控制电路系统经配置以将用于第一组存储器单元的第一物理区域的第一物理到逻辑P2L数据结构存储在所述第一组存储器单元的第二物理区域中,并且/n其中,所述控制电路系统经配置以:/n存储用于所述第一组存储器单元的所述第二物理区域的第二P2L数据结构;以及/n将所述第一P2L数据结构的地址存储在所述第二P2L数据结构中。/n
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