[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910381127.5 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110660859A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;朱熙甯;陈冠霖;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法包含形成从基底突出的鳍片，此鳍片具有多个牺牲层和多个通道层，其中牺牲层和通道层交替排列，从鳍片的通道区移除牺牲层的一部分，在已经移除牺牲层的一部分的区域中沉积间隔物材料，选择性地移除间隔物材料的一部分，借此露出鳍片的通道区中的通道层，其中间隔物材料的其他部分保留作为间隔物部件，以及形成栅极结构接合于露出的通道层。 | ||
| 搜索关键词： | 通道层 牺牲层 鳍片 间隔物材料 移除 通道区 半导体装置 间隔物部件 交替排列 栅极结构 接合 沉积 基底 保留 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n形成从一基底突出的一鳍片，该鳍片具有多个牺牲层和多个通道层，其中该多个牺牲层和该多个通道层交替排列；/n从该鳍片的一通道区去除该多个牺牲层的一部分；/n在已经去除了该多个牺牲层的该部分的区域中沉积一间隔物材料；/n去除该间隔物材料的一部分，借此露出该鳍片的该通道区中的该多个通道层，其中该间隔物材料的其他部分保留作为一间隔物部件；以及/n形成一栅极结构接合于露出的该多个通道层。/n
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