[发明专利]基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法

摘要

本发明公开了一种基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其中：根据设计规则确定有源区的可选宽度；根据设计规则确定多晶硅宽度的容许值及水平方向的间距，得到单元版图的宽度参考指标；根据设计规则确定金属层的最小宽度和间距，得到单元版图的高度参考指标；根据单元库的设计需求确定标准单元版图高度；通过仿真环形振荡器电路或单元电路自身得到速度最快的PMOS和NMOS的宽度比值，结合设计规则确定中线位置；通过标准单元版图高度、设计规则、中线位置分别计算PMOS/NMOS可用鳍片最大值，确定驱动部分版图布局；仿真迭代调整标准单元逻辑部分的有源区宽度，使标准单元速度最佳。本发明可以有效增大标准单元的设计空间，提高标准单元的速度。

主权项

1.一种基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，根据设计规则，确定鳍片在垂直方向上的格点间距Sf以及鳍片最小宽度的容许值Wf，得到有源区的可选宽度W；步骤2，根据设计规则，确定多晶硅宽度的容许值Wpo以及多晶硅在水平方向上的间距Spo，得到多晶硅间距Wpp，所述多晶硅间距Wpp为单元版图的宽度参考指标；步骤3，根据设计规则，确定金属层的最小宽度Wm和间距Sm，得到金属布线轨道宽度Wv，所述金属布线轨道宽度为单元版图的高度参考指标T；步骤4，根据单元库的设计需求确定标准单元版图高度H；步骤5，通过仿真电路，得到速度最快的PMOS和NMOS的宽度比值R_width，结合设计规则确定单元版图结构中的中线位置；步骤6，通过标准单元版图高度、设计规则、中线位置信息，计算得到单元驱动部分PMOS可用鳍片最大值Fp、NMOS可用鳍片最大值Fn、PMOS有源区最大宽度Wp和NMOS有源区最大宽度Wn，确定驱动部分的版图布局；步骤7，利用仿真迭代调整标准单元逻辑部分的有源区宽度，使得标准单元的速度最佳。