[发明专利]间距可扩充立体NAND存储器

摘要

本发明公开了一种间距可扩充立体NAND存储器，该存储器包含与多个通道线阶层交错的多个字线阶层。多个水平的数据储存阶层设置于多个字线阶层与多个通道线阶层之间，数据储存阶层包含各自的多个数据储存区域阵列，位于多个字线阶层与多个通道线阶层中相邻阶层的多条字线和多条通道线的多个交叉点上。位于交叉点外部的各自的孔洞阵列设置于通道线阶层与字线阶层中。通道线与字线具有多个侧边，是通过底切刻蚀周界来定义，伴随着介于每个阶层中的通道线与字线之间的气隙或空隙。每一层中的字线、位线与数据储存节点是垂直自对准。

主权项

1.一种存储器，包含：/n在一字线方向延伸的多个字线阶层，与在一通道线方向延伸的多个通道线阶层交错；及/n多个数据储存阶层，介于该多个字线阶层与该多个通道线阶层之间，这些数据储存阶层包含：/n各自的多个数据储存区域阵列，位于该多个字线阶层与该多个通道线阶层中相邻阶层的多条字线和多条通道线的多个交叉点上；及/n各自的多个孔洞阵列，位于这些交叉点外部。/n