[发明专利]被加工物的加工方法有效
| 申请号： | 201910383378.7 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110491834B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吉川敏行 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/362 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供被加工物的加工方法，在照射激光束而对板状的被加工物进行加工时抑制加工不良的产生。该被加工物的加工方法对包含等间隔设定的N条(N是3以上的自然数)分割预定线的板状的被加工物进行加工，该方法包含如下的步骤：第1加工步骤，对与位于被加工物的最外侧的分割预定线的距离用2 |
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| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种被加工物的加工方法，对由等间隔设定的N条分割预定线划分出多个区域的板状的被加工物沿着该分割预定线照射激光束而进行加工，其中，N是3以上的自然数，其特征在于，/n该被加工物的加工方法包含如下的步骤：/n第1加工步骤，对与位于该被加工物的最外侧的该分割预定线的距离用2n×D表示的第1位置上所存在的该分割预定线照射该激光束而在该被加工物上形成加工痕，其中，D是相邻的两条该分割预定线之间的距离，n是满足2n＜N的最大的自然数；以及/n第(k+1)加工步骤，在该第1加工步骤之后，对从与第k位置的距离用2n-k×D×m表示的第(k+1)位置上所存在的该分割预定线中选择的该分割预定线照射该激光束而在该被加工物上形成加工痕，其中，k是n以下的自然数，m是自然数，/n按照从1至n为止的k依次进行该第(k+1)加工步骤，/n在该第(k+1)加工步骤中，选择在所有第i加工步骤中未被照射该激光束的该分割预定线，其中，i是k以下的自然数。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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